Le CEA-Léti et Nikon ont lancé un programme de développement dédié à la lithographie des process pour la fabrication des semi-conducteurs en-deçà de 45 nm.
Leurs travaux portent sur des techniques de double exposition et de double structuration utilisées pour réaliser les structures de 32 nm qui verront le jour en 2010.
Les deux entités utiliseront un scanner de haut de gamme Nikon installé dans la salle blanche Nanotec 300 du Léti à Grenoble.

> Télécharger le communiqué de presse : Nikon, CEA-Leti Announce Partnership for Double Patterning and Double Exposure Technology