La société grenobloise Soitec et l'équipementier Néerlandais ASM viennent de conclure un partenariat stratégique pour le développement et l’industrialisation par Soitec de silicium contraint sur isolant (sSOI).
L'accord repose sur la technologie Smart Cut pour la fabrication des tranches de SOI et sur les équipements de production de couches minces par épitaxie. Il s'agit d'une nouvelle avancée technologique dans le domaine de l'ingénierie matériaux semi-conducteur. (Le silicium contraint sur SOI promet une augmentation des performances d’au moins 35 % a génération technologique donnée en silicium massif.)
Soitec et ASM visent une production de tranches de 200 mm et 300 mm de diamètre pour la génération technologique 65nm dont la fabrication devrait démarrer en 2005. La plupart des acteurs du semiconducteurs s’accordent toute fois à dire que le silicium contraint sera un passage obligé pour la production de circuits intégrés à partir de la génération technologique 45nm.

Soitec avait signé à la fin de l’année 2002 un accord avec le Léti pour la création d’un laboratoire de R&D (SCEALAB) portant sur de nouveaux matériaux comme le silicium contraint. (Lire l'article)