Offres de thèses, stages et postdocs
650 résultats trouvés
[Stage]
Modélisation et caractérisation de circuits optique intégrée sur silicium
Offre N° : 5717
Cadre du stage :
Le LETI est un centre de R&D reconnu internationalement dans le développement de nouvelles architectures et technologies micro-électroniques. Dans ce contexte, un nouveau challenge est d'intégrer une couche optique directement sur la puce micro-électronique. Par exemple, un telle intégration permettra d'ajouter des entrées/sorties à haut débit sur fibre optique directement sur un microprocesseur pour le relier au disque dur ou à la mémoire..........................................................
Travail demandé :
L'objectif de ce stage est d’étudier expérimentalement les performances de structures optiques de couplage entre une fibre optique et un guide silicium. Pour cela, le stagiaire aura à sa disposition plusieurs échantillons de circuits photoniques réalisés sur la plate-forme silicium du LETI ainsi que tout le matériel de test disponible dans notre laborartoire de caractérisation : micro-positionneurs, laser accordable, contrôleur de polarisation, analyseur de spectre, ...
Cette caractérisation doit être réalisée selon plusieurs paramètres : longueur d'onde, polarisation, tolérance d’alignement. Pour cela, le stagiaire pourra développer l’automatisation du banc de mesure (via le logiciel Labview) si nécessaire afin de faciliter l'acquisition des mesures et d'améliorer la précision des mesures. Les résultats des caractérisations seront confrontés aux prévisions numériques obtenues à l’aide des logiciels déjà en place au laboratoire. Le stagtiaire sera amené à utiliser ces logiciels de calcul optique.
Le stagiaire devra faire preuve d’une rigueur afin de fournir des résultats de mesure fiables de manière justifiée et d’analyser les performances obtenues en les confrontant aux prévisions numériques .
IMPORTANT :
Un délai de deux mois minimum étant nécessaire à l’établissement du dossier, merci de faire acte de candidature rapidement si ce sujet vous intéresse.
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[Stage]
Test automatique de composants optoélectroniques: le tout optique et ses particularités...
Offre N° : 5716
Cadre du stage :Le LETI est un centre de R&D reconnu internationalement dans le développement de nouvelles architectures et technologies micro-électroniques et optoélectroniques. De nouveaux programmes portant sur l'intégration de composants optiques directement sur silicium nécessitent de faire du test automatique intensif sur ces dispositifs.
Cadre du stage :Le LETI est un centre de R&D reconnu internationalement dans le développement de nouvelles architectures et technologies micro-électroniques et optoélectroniques. De nouveaux programmes portant sur l'intégration de composants optiques directement sur silicium nécessitent de faire du test automatique intensif sur ces dispositifs.
Le Département optronique étudie actuellement les briques élémentaires permettant de réaliser des circuits photoniques perfectionnés. Ces briques sont les sources de lumière et les détecteurs mais également tous les composants permettant de traiter et manipuler la lumière: modulateurs, déphaseurs, coupleurs, de/multiplexeurs…
SI ce type de composants est bien connu sous forme classique, l'intégration sur silicium amène des particularités qui imposent d'adapter ou imaginer de nouvelles procédures de test.
Travail demandé : L'objectif de ce stage est de prendre en main et exploiter un testeur automatique sous pointe et ses instruments de mesure associés. Le stagiaire aura pour principales missions :
- Se former sur le testeur et les outils de programmation déjà existants puis procéder à des tests sur des composants non classiques type lasers, détecteurs, guides optiques, réseaux de couplage...
- Passé cette phase de formation, le candidat devra modifier les procédures de test et les adapter à la spécificité de la photonique sur silicium: taille et nombre des dispositifs, complexité des interfaces d'entré-sortie, gestion de la longueur d'onde.
- Mettre en place des outils de post traitement permettant de dégager des nombreuses mesures les paramètres les plus importants.
- Aborder si le temps le permet les aspects mesures électro-optiques en hyper-fréquence.
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[Stage]
Etude et validation de solution d'attaques chimiques innovantes pour composants infrarouge
Offre N° : 5715
Cadre du stage :
Le CEA-Leti est un acteur de niveau mondial dans la recherche et la valorisation des technologies de la chaîne de l'image. Dans le cadre de cette thématique, le Leti travaille à relever deux grands défis auxquels sont aujourd’hui confrontés les capteurs d’images dans le domaine du visible. Le premier concerne la miniaturisation de l’optique, qui requiert des facteurs de forme de plus en plus petits pour être intégrés dans des appareils nomades (téléphone portable, etc). Le second est relatif à l’introduction de nouvelles fonctionnalités optiques dans les micro-modules caméras, telles que l’auto-focus, la stabilisation d’images, le zoom, la capture d’images en 3D, ou encore l’extension du domaine spectral des images vers le domaine infrarouge pour la vision de nuit.
Dans cette perspective, le Leti propose de réaliser de nouveaux systèmes optiques basés sur des technologies innovantes.
Travail demandé :
Le travail du stagiaire se déroulera en deux phases, dans une démarche à la fois théorique et expérimentale:
Dans un premier temps, le stagiaire se familiarisera avec le design sous Zemax de systèmes optiques classiques d'imagerie, dont il s’attachera à optimiser les performances en termes de qualité d’image, et de tolérances. Il mesurera la qualité optique des prototypes correspondants sur un banc de caractérisation de type "Shack-Hartmann" que le laboratoire s'est récemment procuré.
Dans un second temps, le stagiaire prendra en compte dans son design l'innovation technologique que propose le Leti de façon à évaluer le potentiel des nouvelles architectures de systèmes optiques.
Le stagiaire travaillera en étroite collaboration avec une équipe impliquée au niveau de la simulation et de la caractérisation optique pour les applications d’imagerie visible.
Une forte motivation pour le calcul optique est requise. Des compétences en C/C++ sont un plus.
IMPORTANT :
Un délai de deux mois minimum étant nécessaire à l’établissement du dossier, merci de faire acte de candidature rapidement si ce sujet vous intéresse.
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[Stage]
Croissance Epitaxiale de Nanofils GaN par Dépôt Chimique en Phase Vapeur (CVD) pour application LEDs
Offre N° : 5714
Cadre du travail
Cette proposition de stage s'inscrit dans le cadre du développement, au sein du département optronique du LETI, d'une activité liée à l'éclairage à l'état solide par LEDs.
Cadre du travail
Cette proposition de stage s'inscrit dans le cadre du développement, au sein du département optronique du LETI, d'une activité liée à l'éclairage à l'état solide par LEDs.
Les thèmes d'étude qui sont couverts par cette activité concernent l'ensemble de la filière, de la croissance de matériau sous forme de nanofils à la technologie et à la caractérisation des diodes
Une des voies retenues pour développer des LEDs plus efficaces que la technologie actuelle est basée sur les quelques concepts suivants :
- Un substrat silicium qui présente par rapport à la technologie usuelle sur saphir, un intérêt de coût, d'accessibilité aux grandes surfaces et plusieurs autres avantages liés à la technologie des diodes.
- Une couche active élaborée sous forme de nanofils, dont les principaux avantages sont, entre autres, une très bonne qualité cristalline sans présence de défauts, une meilleure extraction des photons, un accès à une grande variété de substrat...
- Le matériau GaN et ces alliages (GaInN, GaAlN) qui sont déjà largement utilisés pour la fabrication de LEDs, en raison de leur gap direct et dont la largeur de bande est modulable en énergie.
Cette étude s'appuie sur des moyens propres mis en place au LETI et à Minatec et sur de nombreuses collaborations en particulier à l'INAC (Institut Nanosciences et Cryogénie du CEA)
Le Laboratoire d’Electronique et de Technologie de l’Information (LETI), est l’un des principaux centres européens de recherche appliquée en électronique. Son activité est consacrée à plus de 85 % à des recherches finalisées avec des partenaires extérieurs.
Travail demandé
Le sujet proposé aura pour thème général l’élaboration par Dépôt Chimique en Phase Vapeur (CVD) de nanofils de GaN sur substrat silicium.
Un premier objectif concernera la croissance auto-organisée de nanofils GaN. Une étude d'optimisation des conditions de croissance et de compréhension des mécanismes qui contrôlent la morphologie, la cinétique et les qualités structurales et optiques des nanofils, constituera la partie centrale de ce travail.
Un deuxième objectif concernera la croissance organisée de nanofils GaN. La méthode choisie est la croissance sélective (Selected Area Growth, SAG) qui utilise un masque de croissance sélectif pour contrôler la position et la taille des nanofils.
Une partie importante du travail concernera les caractérisations morphologiques, structurales et optiques des couches épitaxiales. Des techniques telles que la microscopie électronique par balayage et la photoluminescence, seront utilisées par le stagiaire.
D'autres techniques, telles que l’analyse par diffraction X, le SIMS, la microscopie électronique en transmission, disponibles dans le département ou à travers des collaborations, serviront à l’optimisation des procédés de croissance.
Profil
Le candidat, de formation ingénieur ou universitaire, devra régulièrement présenter l’avancement de ses travaux au sein de l’équipe projet, en faisant preuve d’une bonne capacité d’intégration.
Modalités pratiques
Le candidat devra envoyer un CV détaillé et une lettre de motivation au responsable technique.
La date prévisionnelle de début de contrat est mars 2011.
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