MINATEC

Cadre du stage :
La technologie infrarouge (IR) occupe un rôle grandissant dans des domaines aussi variés que l'observation spatiale, la détection incendie ou la vision nocturne. Le Département Optronique (DOPT) du CEA/LETI/MINATEC est un des leaders de cette technologie et s'affirme comme un acteur principal de son développement.

Cadre du stage :
La technologie infrarouge (IR) occupe un rôle grandissant dans des domaines aussi variés que l'observation spatiale, la détection incendie ou la vision nocturne. Le Département Optronique (DOPT) du CEA/LETI/MINATEC est un des leaders de cette technologie et s'affirme comme un acteur principal de son développement.
Le matériau semiconducteur II-VI utilisé pour cette détection est du CdHgTe.
Dans le cadre du développement d'une technologie innovante dite P-on-N, une implantation  ionique de type P est effectuée en Arsenic dans un matériau dopé extrinsèquement de type N. L'arsenic étant un diffuseur lent, son positionnement dans le CdHgTe, ses modes de diffusion  ainsi que son rendement d'activation sont des paramètres à maitriser dans le cadre de l'optimisation des performances des composants.
Ce stage sera effectué au sein du laboratoire infrarouge. L'étudiant sera amené à effectuer des modélisations, des étapes technologiques et des caractérisations physiques et électriques au sein du laboratoire ou dans d'autres laboratoires du CEA.
L'étudiant pourra s'appuyer sur l'ensemble des travaux déjà effectués dans le cadre du développement de cette brique d'implantation.
Ce stage est une phase préliminaire à la thèse "Dopage arsenic du semi-conducteur CdHgTe par implantation et à la croissance" qui couvre le dopage arsenic par implantation et à la croissance par épitaxie par jets moléculaires. .............
 Travail demandé :
Dans un premier temps, le stagiaire reprendra les caractérisations précédemment effectuées sur les implantations d'arsenic, à savoir variation de la dose, de l'énergie d'implantation et de la température du porte-substrat, ainsi que les conditions de recuit d'activation sous pression saturante et pression sèche de Hg. A partir de ces caractérisations, des simulations seront menées et comparées aux profils expérimentaux. L'objectif étant de définir un pré-modèle de diffusion de l'arsenic dans le CdHgTe en fonction des conditions de recuit et d'implantation ainsi que les phénomènes attenants à savoir la variation de stœchiométrie du matériaux.  Concernant la diffusion, des modèles seront simulés et l'impact de la charge des dopants pourra être mis en évidence.
Dans un but de compréhension, des études complémentaires, qui pourront être de type plan d'expérience, pourront être menées en terme d'implantation et de recuit d'activation. Dans cette optique, le stagiaire sera amené à effectuer et suivre les implantations ainsi qu'à effectuer les recuits d'activation.
Il sera également amené à suivre des étapes technologiques effectuées en salle blanche, telles par exemple des gravures pour la réalisation de motifs d'effet hall différentiel.
Dans un troisième temps, des caractérisations électriques de type EBIC (Electron Beam Induced Current) ou effet hall seront effectuées.  L'objectif étant d'une part d'avoir une idée plus précise de l'impact du volume d'interaction sur les résultats obtenus mais également une meilleure compréhension des résultats expérimentaux obtenus.
 
L'étudiant sera amené à travailler en relation avec les autres utilisateurs. Il lui sera demandé d'être rigoureux mais également d'être force de proposition et d'avoir une démarche de compréhension.