MINATEC

Cadre du stage :

Cadre du stage :
Ce travail de fin d'étude Master s’inscrit dans une action générique « éclairage  à l'état solide» au niveau du département Optronique du LETI (LETI/DOPT). Il vise à l'élaboration de Diodes Electro-Luminescentes (DEL) à base de ZnO (semi-conducteur II-VI à gap direct). Dans ce cadre le sujet du stage est inscrit plus particulièrement dans la thématique « élaboration du substrat ZnO». Le laboratoire développe une méthode originale de croissance cristalline permettant d'élaborer des cristaux massifs de ZnO par une voie sublimation-condensation. L'obtention de cristaux de bonne qualité structurale, de grand diamètre, avec un dopage contrôlé représente l'objectif de notre action............................................................................................
 
Travail demandé :
Au sein de l'équipe croissance de ZnO, le(a) candidtat(e) issu d'un master ou d'une formation universitaire aura en charge une partie des caractérisations physiques et structurales que nous réalisons sur les substrats de ZnO issus des croissances par une méthode de sublimation assistée chimiquement. En effet il sera intéressant de corréler les mesures des taux de dislocations mésurées par topographie des rayons X, aux mesures de figures d'attaque (Etch pits density) ainsi qu'aux images réalisées par cathodo-luminescence (CL). L'analyse de ses mesures en relation avec l'orientation cristalline des substrats (plans polaires (0001) et non polaires( (10-10) et (11-20) ) permettra de déterminer l'influence de ces types de défauts sur les propriétés de luminescence et de comparer sur ces critères les substrats de ZnO issus de la CVT aux substrats commerciaux issus d'autres méthodes d'élaboration. Une fois l'apprôche validée, une partie du travail portera sur les alliages Zn1-xMgxO (0<= x <=0.2). Après le travail d'élaboration du matériau massif, la procédure définie pour ZnO sera adaptée pour l'alliage Zn1-xMgxO. Les résultats seront comparés aux couches élaborées au sein du département par OMVPE (Organo-Métallic Vapour Phase Epitaxy). Le candidat, de formation ingénieur ou universitaire ayant de solides connaissances en physique des semi-conducteurs devra régulièrement présenter l’avancement de ses travaux au sein de l’équipe projet. Il devra être rigoureux et faire preuve d’une bonne capacité d’intégration.