MINATEC

Le Département d'Optronique du LETI mène des travaux de recherche et de développement sur des imageurs infrarouge à base de matrices de photodiodes réalisées sur le semi-conducteur composé CdxHg1-xTe. La prochaine génération de détecteurs infrarouge intégrera de nouvelles fonctionnalités, telles la détection de plusieurs longueurs d'ondes (multispectral) ou l'utilisation d'effet de gain, dans des structures de photodiodes à avalanche (ou APD, pour Avalanche PhotoDiode).

Le Département d'Optronique du LETI mène des travaux de recherche et de développement sur des imageurs infrarouge à base de matrices de photodiodes réalisées sur le semi-conducteur composé CdxHg1-xTe. La prochaine génération de détecteurs infrarouge intégrera de nouvelles fonctionnalités, telles la détection de plusieurs longueurs d'ondes (multispectral) ou l'utilisation d'effet de gain, dans des structures de photodiodes à avalanche (ou APD, pour Avalanche PhotoDiode). Ces développements nécessitent une excellente connaissance des paramètres physiques du matériau (notamment dopage, mobilité et durée de vie des porteurs), ainsi qu'une bonne adaptation et un bon contrôle des procédés technologiques de fabrication. Parmi ces procédés, la gravure assistée par plasma du CdxHg1-xTe apparaît comme une étape incontournable, mais encore mal maîtrisée. En particulier, les mécanismes de gravure et l'influence de l'étape sur les propriétés électriques du matériau (en modifiant le dopage ou la durée de vie des porteurs minoritaires), ainsi que sur la surface des motifs photolithographiés (apparition de rugosité, modification de la stoechiométrie) restent mal connus. Cette étape est donc un point clé qu'il nous faut étudier de façon approfondie pour permettre l'utilisation de la gravure plasma dans les procédés de fabrication des prochaines générations de détecteurs.