Offres de thèses, stages et postdocs
739 résultats trouvés
[Thèse]
Etude en performance des technologies CMOS sur substrat SOI pour les nœuds sub-14nm
Offre N° : 8339
Date de début : 1 Sep 2012
Enfin de gagner en performance et en puissance de calcul, les fabricants de circuits intégrés ne cessent de réduire les dimensions des transistors. Aujourd'hui, tous les fabricants annoncent, pour les nœuds sub-14nm, le remplacement des transistors mos planaires sur substrat massif par des transistors verticaux (finFET, trigate) ou par des transistors sur substrat SOI (Silicium dur Isolant).
Enfin de gagner en performance et en puissance de calcul, les fabricants de circuits intégrés ne cessent de réduire les dimensions des transistors. Aujourd'hui, tous les fabricants annoncent, pour les nœuds sub-14nm, le remplacement des transistors mos planaires sur substrat massif par des transistors verticaux (finFET, trigate) ou par des transistors sur substrat SOI (Silicium dur Isolant). Dans les 2 cas, l'objectif est de maitriser la consommation en gagnant en vitesse toujours grâce à la réduction de dimension. Par rapport aux transistors verticaux, l'intérêt des transistors sur substrat SOI est de permettre l'augmentation de la vitesse ou la réduction de la consommation en jouant sur la tension de substrat. Ceci apporte un gain sur le rapport performance/consommation très intéressant. L'objectif de la thèse sera d'évaluer toutes les solutions technologiques (effet de contrainte dans le film de silicium, diminution des capacités parasites, réduction des résistances d'accès, etc.) visant à améliorer les performances des technologies SOI pour les nœuds 14 et 11nm. Pour cela, l'étudiant utilisera des outils de simulation de dispositif (TCAD) et de circuit. Les modèles utilisés pour la simulation de circuits devront être améliorés pour prendre en compte les spécificités de transistors dont les longueurs de grille seront inférieures à 20nm.
Fermer
Envoyer cet article à un(e) ami(e)
[Thèse]
Développement de procédés de lithographie innovants pour les technologies sub-16nm par couplage de la lithographie conventionnelle avec l'approche auto-alignée par copolymère à blocs
Offre N° : 8338
Date de début : 1 Oct 2012
Le développement des nanotechnologies et des nanosciences a permis une miniaturisation en continu des composants de la microélectronique. La lithographie optique à 193nm avec masque est la force motrice de cette évolution. Des techniques de lithographie par Double Patterning, Extrême UV (EUV) ou encore faisceau d'électrons ont été développés ou sont en cours de développement pour répondre aux besoins de cette course à la miniaturisation.
Le développement des nanotechnologies et des nanosciences a permis une miniaturisation en continu des composants de la microélectronique. La lithographie optique à 193nm avec masque est la force motrice de cette évolution. Des techniques de lithographie par Double Patterning, Extrême UV (EUV) ou encore faisceau d'électrons ont été développés ou sont en cours de développement pour répondre aux besoins de cette course à la miniaturisation. Des points bloquants restent à résoudre pour ces solutions technologiques. Notamment, les résines photosensibles commencent à montrer des limitations intrinsèques en termes de résolution, de sensibilité et de rugosité. De plus, leurs utilisations en milieu industriel se révèlent de plus en plus coûteuses Il devient donc primordial que des approches technologiques innovantes et économiquement attractives soient investiguées pour satisfaire les besoins futurs de l'industrie du semiconducteur et des nanotechnologies.
Le but du travail proposé est d'évaluer une solution alternative aux lithographies actuelles, basée sur les copolymères à block auto-organisés.
Fermer
Envoyer cet article à un(e) ami(e)
[Thèse]
Spectroscopies d'électrons et microscopie en champ proche appliqués au photovoltaïque pour la mesure de photocourant, travail de sortie et temps de vie de porteurs.
Offre N° : 8336
Date de début : 1 Oct 2012
Deux aspects seront abordés dans cette thèse: le développement de méthodes de caractérisation du travail sortie et la caractérisation sur les cellules solaires sous éclairement pour la mesure de la durée de vie des porteurs et du photocourant.
Deux aspects seront abordés dans cette thèse: le développement de méthodes de caractérisation du travail sortie et la caractérisation sur les cellules solaires sous éclairement pour la mesure de la durée de vie des porteurs et du photocourant.
Dans la première partie, un travail important sera fait pour développer une mesure du travail de sortie sensible, résolue latéralement (~ 10nm) et relativement facile à interpréter. La Microscopie à force de Kelvin (KFM) sous ultra vide ainsi que la microscopie Auger sera principalement utilisé.
Dans la deuxième partie, la caractérisation sous éclairement sera développée pour des mesures de photo-courant par AFM conducteur que pour la mesure du temps de vie des porteurs par XPS et KFM. Ces deux paramètres sont indispensables pour améliorer l'efficacité des cellules solaires. Des mesures précises et souvent résolus latéralement, notamment dans le cas des cellules solaires de 3ème génération, de photo-courant sont nécessaires. Par ailleurs, jusqu'à présent les mesures de temps de vie de porteurs sont peu développées. Cette partie se focalisera sur la mesure en lumière pulsée (> 100 kHz) afin d'accéder à une cartographie précise (~ 10µs) des temps de vie des porteurs.
Fermer
Envoyer cet article à un(e) ami(e)
[Thèse]
Analyse combinée par réflectométrie et fluorescence par rayons X en incidence rasante
Offre N° : 8332
Date de début : 1 Sep 2012
L'intégration de nouveaux matériaux dans les procédés de fabrication des dispositifs avancés implique un développement constant des techniques de caractérisation physico-chimique à une échelle nanométrique. Un des besoins actuels concerne l'analyse non destructive de profil de composition, avec une résolution sub-nanométrique (jonctions ultrafines, multicouches, interfaces enterrées).
L'intégration de nouveaux matériaux dans les procédés de fabrication des dispositifs avancés implique un développement constant des techniques de caractérisation physico-chimique à une échelle nanométrique. Un des besoins actuels concerne l'analyse non destructive de profil de composition, avec une résolution sub-nanométrique (jonctions ultrafines, multicouches, interfaces enterrées).
Dans ce contexte, la thèse propose d'évaluer les capacités d'une technique de caractérisation novatrice, l'analyse combinée par fluorescence X en incidence rasante (Gi-XRF) et réflectométrie X (XRR), qui permet de coupler les informations d'analyse élémentaire et de profil de densité électronique le long de la normale à l'échantillon. Cette étude sera tout d'abord menée sur des échantillons de calibrage réalisés au CEA-LETI, afin de définir les protocoles de mesure en mode GiXRF : protocole de calibration de la fonction instrumentale, optimisation des conditions d'alignement et d'acquisition. En parallèle, l'analyse couplée Gi-XRF et XRR menée sur ces échantillons permettra une validation et optimisation des logiciels d'analyse combinée, en interaction forte avec les développeurs (co-tutelle internationale). La caractérisation par GiXRF et l'analyse combinée seront ensuite menées sur des échantillons d'intérêt pour la microélectronique avancée (jonction ultrafines, siliciures, mémoires, empilement grille-métal, puissance) et comparées à des résultats issus d'analyses destructives (TOF-SIMS, …). L'exploitation du signal de diffusion anomale, notamment celui accessible sur la ligne de lumière D2AM de l'ESRF, sera utilisé en complément de sélectivité atomique pour certains échantillons où le contraste de diffusion normale est insuffisant.
Fermer
Envoyer cet article à un(e) ami(e)
Envoyer cet article à un(e) ami(e) 
Fiche complète
Fermer
